각 반도체 공정의 전공면접을 대비할 수 있는 강의

| 2019.12.05

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3주 4일차 강의 내용은 전공면접에서 산화, 확산, 이온 주입, CMP, 세정 공정에 대해 나올 수 있는 질문 리스트를 확인하였고, 자주 출제되는 질문들에 대해 어떻게 설명하고 대답해야 하는지 알 수 있었다.
오늘 수업한 공정들은 식각, 포토, 박막 공정에 비해 면접질문으로 출제되는 빈도는 낮은 편이다. 따라서 각 공정에 대한 설명 또는 각 공정에서 가장 중요한 부분에 대한 질문 위주로 대비법을 확인하였다. 산화/확산의 경우 Isolation 방법인 LOCOS와 STI가 무엇이고 어떤 차이가 있는지를 확인하였다. 또한 시간에 따라 변화하는 SiO2 두께의 그래프를 확인하였는데, 공식에 의거하여 초반과 후반의 산화 속도를 비교하는 방법에 대해 알 수 있었다.
그 외에 이온주입 공정에서는 확산공정과의 차이점, 회로의 미세화에 따라 이온주입 공정에서 어떻게 대응해 가고 있는지를 확인하였고, 이온주입 공정에서 중요한 현상인 Channeling effect, Shadowing effect에 대해 알 수 있었다.
CMP 공정에서는 CMP 공정이 무엇인지, CMP 공정 중 발생할 수 있는 defect는 무엇이 있는지 확인하였다.